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          半导体级晶体生长炉  KX170MCZ-大连连城数控机器股份有限公司
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          半导体级晶体生长炉 KX170MCZ

          半导体级晶体生长炉  KX170MCZ-大连连城数控机器股份有限公司

          • 最优化的3-6英寸CZ单晶生长方案
          • 领先的全数字控制系统
          • 先进的热场设计

          半导体级晶体生长炉  KX170MCZ
          Performance  性能
            Typical Ingot Diameter 单晶直径   150-230 mm (6-10 in)
            Pull Chamber Height  副室高度   2108 mm (83 in)
            Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12 in)
            Seed Lift Rate 晶升速率    0-508 mm/hr
            Seed Jog Speed (Nominal)  籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
            Total Crucible Travel 坩锅最大行程   500 mm (19.6 in )
            Crucible Lift Rate 坩锅提升速率   0-254 mm/hr
            Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
            Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转速率(可逆)   0-50 rpm
            Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm
            CUPS 主真空泵   1000 Gs

          Silicon Charge Capacity硅投料量
            *Hot Zones available to fit following crucible sizes 热场尺寸取决于坩锅直径
            **Charges can be enhanced with Xtramelt? Feeder 使用 Xtramelt? 二次加料系统可提高装料量
            Crucible Diameter*
            坩埚直径
            Crucible Height*
            坩埚高度
            Charge Size Cold Pack
            冷装投料量
            Enhanced Charge**
            复投装料量
            24.0 in   16.33 in   170 kg   210 kg
            22.0 in   16.33 in   120 kg   150 kg

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