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          锗单晶生长炉KX100-Ge -大连连城数控机器股份有限公司
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          锗单晶生长炉KX100-Ge

          锗单晶生长炉KX100-Ge -大连连城数控机器股份有限公司

          • 最优化的4-8英寸CZ法锗单晶生长方案
          • 领先的全数字控制系统
          • 先进的热场设计
          • 国际上锗晶体生长公司的首选

          锗单晶生长炉KX100-Ge
          Performance  性能
            Typical Ingot Diameter 单晶直径   100-200 mm(4-8")
            Pull Chamber Height 副室高度   1750 mm (69”)
            Throat Diameter 喉口直径   305 mm (12”)
            Furnace Diameter 炉室内径   865 mm
            Seed Lift Rate 籽晶提升速率   0-508 mm/hr
            Seed Jog Speed (Nominal) 籽晶快速提升速率(最大)   508 mm/min
            Total Crucible Travel 坩锅最大行程   380 mm (15")
            Crucible Lift Rate 坩锅提升速率   0-254 mm/hr
            Crucible Jog Speed (Nominal)  坩锅快速提升速率(最大)   50.8 mm/min
            Seed Rotation (Reversible) 籽晶旋转速率(可逆)   0-50 rpm
            Crucible Rotation (Reversible)  坩锅旋转速率(可逆)   0-20 rpm

          Silicon Charge Capacity硅投料量
            Hot zones are available to fit the following crucible sizes. 热场尺寸取决于坩锅直径
            Crucible Diameter
            坩锅直径
            Crucible Height
            坩锅高度
            Charge Size
            投料量
            20.0 in   15.0 in   120 kg
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